Gravure RIE profonde du SiC pour la réalisation de composants de puissance - Centrale Lyon - périmètre strict
Communication Dans Un Congrès Année : 2005

Gravure RIE profonde du SiC pour la réalisation de composants de puissance

Sigo Scharnholz
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1049626

Résumé

Le carbure de silicium est un semi-conducteur qui possède des propriétés remarquables pour la réalisation de composants de puissance. La protection périphérique mesa nécessite une gravure profonde du SiC. Un procédé de gravure plasma SF6/O2 dans un bâti RIE est mis en place et permet d’obtenir des profondeurs supérieures à 10 μm avec une cinétique de gravure de 0.35 μm/min.
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Origine Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

hal-04620248 , version 1 (21-06-2024)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04620248 , version 1

Citer

Heu Vang, T. Morel, F. Chaboud, Pierre Brosselard, Pierre Cremillieu, et al.. Gravure RIE profonde du SiC pour la réalisation de composants de puissance. 3eme colloque sur les Matériaux du Génie Electrique, Dec 2005, Lyon, France. ⟨hal-04620248⟩
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