Gravure RIE profonde du SiC pour la réalisation de composants de puissance
Résumé
Le carbure de silicium est un semi-conducteur qui possède des propriétés remarquables pour la réalisation de composants de puissance. La protection périphérique mesa nécessite une gravure profonde du SiC. Un procédé de gravure plasma SF6/O2 dans un bâti RIE est mis en place et permet d’obtenir des profondeurs supérieures à 10 μm avec une cinétique de gravure de 0.35 μm/min.
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